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Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes - 22/03/08

Roland Bonnet a, , Karine Rousseau b, Frank Fournel c
a Institut national polytechnique de Grenoble, Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiques (unité mixte de recherche associée au CNRS 5614), École nationale supérieure d'électrochimie et d'électrométallurgie de Grenoble, Domaine universitaire, BP 75, 38402 Saint Martin d'Hères, France 
b CEA-Grenoble, Département de recherche fondamentale sur la matière condensée, SP2M, ME, 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France 
c LETI, CEA département des technologies silicium, 17, rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France 

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Note présentée par Guy Laval

Résumé

Une image d'un sous-joint de torsion (001) du silicium, obtenue en MET à deux ondes, est interprétée de façon quantitative au moyen de la théorie dynamique de la diffraction des électrons. Les caractéristiques du contraste sont discutées en fonction de l'épaisseur de la lame mince et des effets éventuels de relaxation élastique du sous-joint dans la lame mince. Pour citer cet article : R. Bonnet et al., C. R. Physique 3 (2002) 657-663.

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Abstract

A quantitative analysis of the image of a low angle (001) twist boundary in silicon is performed using the two-beam dynamical theory of electron diffraction. The contrast features are discussed as functions of the thickness of the foil and possible elastic relaxation effects of the low angle twist boundary in the thin foil. To cite this article: R. Bonnet et al., C. R. Physique 3 (2002) 657-663.

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Mots-clé : contraste, sous-joint de torsion, dislocation, silicium

Keywords : contrast, low angle twist boundary, dislocation, silicon


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Vol 3 - N° 5

P. 657-663 - 2002 Retour au numéro
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  • Fluorescence microscopy of single autofluorescent proteins for cellular biology
  • Laurent Cognet, Françoise Coussen, Daniel Choquet, Brahim Lounis

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