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Modelling of planar interface elastic behaviour: Application to grain boundaries in polycrystals - 19/11/10

Doi : 10.1016/j.crme.2010.10.009 
Lionel Gélébart
CEA-Saclay DEN/DMN/SRMA, 91190 Gif-sur-Yvette, France 

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Abstract

In polycrystalline elastic simulations, grain boundaries can be considered as volume interphases or as elastic interfaces assuming a displacement jump across the interface. Such an interface description does not account for the in-plane deformation of the interface and Poisson effects cannot be reproduced. The purpose of this Note is to provide an enriched description of the elastic interface which takes into account such effects. When considering a multilayer material, the interphase description and the enriched interface description yield identical homogenized behaviour while quite important discrepancies can be observed with the classical interface description.

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Résumé

Afin de réaliser des simulations du comportement élastique de polycristaux, les joints de grains peuvent être considérés comme des interphases volumiques ou comme des interfaces auxquelles on associe classiquement un saut de déplacement. Cette description ne prend pas en compte la déformation dans le plan de l'interface et ne peut rendre compte d'effets de type Poisson. L'objet de cette Note est donc de proposer une description enrichie du comportement élastique d'interfaces. Appliquées au cas d'un matériau multi-couches, les descriptions « interface enrichie » et « interphase volumique » conduisent à un comportement homogénéisé identique tandis que d'importants écarts sont observés avec la description « interface classique ».

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Keywords : Material engineering, Micromechanics modeling, Imperfect interfaces, Interphase, Polycrystal, Multi-layer material

Mots-clés : Génie des matériaux, Modélisation micromécanique, Interfaces imparfaites, Interphase, Polycrystal, Matériau multi-couches


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Vol 338 - N° 12

P. 670-674 - décembre 2010 Retour au numéro
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