Controlling the growth interface shape in the growth of CdTe single crystals by the traveling heater method - 13/02/08
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Abstract |
This article presents the results of a numerical simulation study carried out for controlling the growth interface shape in the THM (Traveling Heater Method) growth of CdTe single crystals. Applying different thermal boundary conditions and a crucible rotation, the optimum growth conditions for a desired interface shape were obtained. The simulation results show that by controlling the heat removal at the bottom of the crucible, a flatter (or slightly concave towards the crystal) growth interface can be maintained throughout the growth process. A crucible rotation rate of 5 rpm seems optimal for a favorable growth interface shape. To cite this article: S. Dost, Y.C. Liu, C. R. Mecanique 335 (2007).
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Résumé |
Cet article présente les résultats de simulations numériques conduites afin dʼexaminer lʼévolution et le contrôle de lʼinterface lors de la croissance cristalline du CdTe par la méthode THM. Des conditions de croissance optimales sont identifiées en effectuant des simulations pour une gamme de conditions thermiques aux frontières ainsi que pour différents taux de rotations de lʼampoule. Les résultats montrent quʼun contrôle judicieux du taux dʼextraction de chaleur par la base de lʼampoule favorise une croissance en interface plane durant tout le processus. Un taux de rotation optimal de 5 rpm apparaît comme étant optimal pour le maintien dʼune interface relativement plane. Pour citer cet article : S. Dost, Y.C. Liu, C. R. Mecanique 335 (2007).
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Keywords : Computation fluid mechanics, Crystal growth, Numerical analysis, Interface shapes
Mots-clés : Mécanique des fluides numérique, Croissance cristalline, Analyse numérique, Interface
Plan
Vol 335 - N° 5-6
P. 323-329 - mai 2007 Retour au numéro
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