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Large intrinsic birefringence in zinc-blende based artificial semiconductors - 13/02/08

Doi : 10.1016/j.crhy.2007.09.005 
Jean-Marc Jancu, Jean-Christophe Harmand, Gilles Patriarche, Anne Talneau, Karine Meunier, Frank Glas, Paul Voisin
LPN-CNRS, route de Nozay, 91460 Marcoussis, France 

Corresponding author.

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Abstract

A new attempt to solve the phase matching problem for semiconductor-based frequency conversion devices, based on the implementation of intrinsic birefringence in artificial materials, is discussed. The first results concerning the growth and characterization of ultrashort period superlattices are presented. To cite this article: J.-M. Jancu et al., C. R. Physique 8 (2007).

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Résumé

Nous décrivons une tentative originale pour résoudre le problème de lʼaccord de phase pour la conversion de fréquences optiques dans des composants semiconducteurs. La possibilité dʼimplémenter une grande biréfringence intrinsèque dans des semiconducteurs artificiels basés sur des composés ayant la structure cubique de la blende de zinc est dʼabord discutée théoriquement. Les premiers résultats concernant la croissance épitaxiale et la caractérisation optique de superréseaux dʼultracourte période sont présentés ensuite. Pour citer cet article : J.-M. Jancu et al., C. R. Physique 8 (2007).

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Keywords : Optical materials, Non-linear optics, Semiconductor nanostructures

Mots-clés : Matériaux pour lʼoptique, Optique non-linéaire, Nanostructures semiconductrices


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Vol 8 - N° 10

P. 1174-1183 - décembre 2007 Retour au numéro
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