Effect of the high magnetic field on the localization length in n-type Cooper Indium diselenide - 13/02/08
, Syed M. Wasim b, Jean Galibert c
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Abstract |
Variable range hopping conduction of the Mott type, where the magnetoresistance follows the relation 
, is observed in n-type CuInSe2 below 20 K at different magnetic field values up to 35 T. The field dependence of the localization temperature 
and localization length
can be explained with the existing theoretical models but only up to 10 T. In the high field regime, above 10 T, the magnetoresistance shows a tendency to saturate. However, excellent agreement with the theory of the variation of the hopping parameters 
and
with B is found up to 35 T from the analysis of the interpolated magnetoresistance data obtained from the linearly extrapolated plot of 
against 
. This suggests that the departure of 
and
from the expected variation with B above 10 T is due to the effect of saturation of the magnetoresistance whose origin is not yet clear. To cite this article: L. Essaleh et al., C. R. Physique 8 (2007).
Résumé |
La conduction par saut à distance variable de type Mott où la magnétorsistance suit la relation 
, est observée dans n-CuInSe2 en dessous de 20 K pour un champ magnétique B allant jusquʼà 35 T. Lʼeffet de B sut la température caractéristique 
et sur la longueur de localisation
est expliqué à lʼaide des modèles théoriques existants mais pour B< 10 T. Pour B> 10 T, la magnétorésistance présente un comportement de saturation. Cependant, les variations de 
et
avec B sont en accord avec la théorie lorsquʼon considère les données obtenues par extrapolation des courbes 
en fonction de 
. Ceci suggère que le désaccord observé au dessus de 10 T est lié à la saturation de la magnétoprésistance. Lʼorigine de cette saturation nʼest pas encore claire. Pour citer cet article : L. Essaleh et al., C. R. Physique 8 (2007).
Keywords : Semiconductor, Variable range hopping, Magnetoresistance
Mots-clés : Semi-conducteur, Saut à distance variable, Magnétorsistance
Plan
Vol 8 - N° 7-8
P. 942-947 - septembre-octobre 2007 Retour au numéro
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