S'abonner

Direct write lithography: the global solution for R&D and manufacturing - 14/02/08

Doi : 10.1016/j.crhy.2006.10.003 
Laurent Pain , Serge Tedesco, Christophe Constancias
CEA-LETI, Minatec, 17, rue des martyrs, 38054 Grenoble cedex 09, France 

Corresponding author.

Bienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
L’accès au texte intégral de cet article nécessite un abonnement.

pages 14
Iconographies 0
Vidéos 0
Autres 0

Abstract

The electron beam lithography is a well known and mature solution, widely installed in research laboratories and Universities, to provide advanced patterning for research and development programs for a large field of applications. However, limited by its low throughput capabilities, the direct write solution never appeared as a credible option for manufacturing purposes. Nevertheless, semiconductor business starts to be affected by the increasing cost of the optical lithography requesting more and more complex masks and projection systems. This trend opens opportunities for high throughput mask less equipments to address ASIC manufacturing. A review of the Maskless Lithography (ML2) technology is presented in this article, including process integration capability, application fields and perspective for high throughput ML2 solution. To cite this article: L. Pain et al., C. R. Physique 7 (2006).

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Résumé

La lithographie par faisceau dʼélectrons est une solution technologique bien connue, mature et très utilisée dans les laboratoires de recherche et universités qui permet de réaliser des structures avancées pour des programmes de recherche et développement, couvrant un large champ dʼapplications. Cependant, du fait de sa lenteur dʼécriture, la lithographie à écriture directe nʼest jamais apparue comme une solution crédible pour la production. Néanmoins, lʼaccroissement des coûts de la lithographie optique liés à lʼutilisation de masques et de systèmes dʼexposition de plus en plus complexes, commence à toucher le marché des semi-conducteurs. Cette tendance ouvre des perspectives pour des machines de lithographie sans masque à fort débit pour la production de circuits spécifiques (ASIC). Une revue de la lithographie sans masque (ML2) est présentée dans cette publication, incluant la capacité dʼintégration de cette solution, ses domaines dʼapplication ainsi que les perspectives concernant des solutions ML2 à fort débit. Pour citer cet article : L. Pain et al., C. R. Physique 7 (2006).

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Keywords : Lithography, E-beam, Direct write, Prototyping

Mots-clés : Lithographie, Faisceau dʼelectron, Écriture directe, Prototypage


Plan

Plan indisponible

© 2006  Académie des sciences. Publié par Elsevier Masson SAS. Tous droits réservés.
Ajouter à ma bibliothèque Retirer de ma bibliothèque Imprimer
Export

    Export citations

  • Fichier

  • Contenu

Vol 7 - N° 8

P. 910-923 - octobre 2006 Retour au numéro
Article précédent Article précédent
  • Advanced mask manufacturing
  • Carlo Reita
| Article suivant Article suivant
  • Photosensitive resists for optical lithography
  • Bénédicte Mortini

Bienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
L’accès au texte intégral de cet article nécessite un abonnement.

Bienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
L’achat d’article à l’unité est indisponible à l’heure actuelle.

Déjà abonné à cette revue ?

Mon compte


Plateformes Elsevier Masson

Déclaration CNIL

EM-CONSULTE.COM est déclaré à la CNIL, déclaration n° 1286925.

En application de la loi nº78-17 du 6 janvier 1978 relative à l'informatique, aux fichiers et aux libertés, vous disposez des droits d'opposition (art.26 de la loi), d'accès (art.34 à 38 de la loi), et de rectification (art.36 de la loi) des données vous concernant. Ainsi, vous pouvez exiger que soient rectifiées, complétées, clarifiées, mises à jour ou effacées les informations vous concernant qui sont inexactes, incomplètes, équivoques, périmées ou dont la collecte ou l'utilisation ou la conservation est interdite.
Les informations personnelles concernant les visiteurs de notre site, y compris leur identité, sont confidentielles.
Le responsable du site s'engage sur l'honneur à respecter les conditions légales de confidentialité applicables en France et à ne pas divulguer ces informations à des tiers.


Tout le contenu de ce site: Copyright © 2024 Elsevier, ses concédants de licence et ses contributeurs. Tout les droits sont réservés, y compris ceux relatifs à l'exploration de textes et de données, a la formation en IA et aux technologies similaires. Pour tout contenu en libre accès, les conditions de licence Creative Commons s'appliquent.