Direct write lithography: the global solution for R&D and manufacturing - 14/02/08
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Abstract |
The electron beam lithography is a well known and mature solution, widely installed in research laboratories and Universities, to provide advanced patterning for research and development programs for a large field of applications. However, limited by its low throughput capabilities, the direct write solution never appeared as a credible option for manufacturing purposes. Nevertheless, semiconductor business starts to be affected by the increasing cost of the optical lithography requesting more and more complex masks and projection systems. This trend opens opportunities for high throughput mask less equipments to address ASIC manufacturing. A review of the Maskless Lithography (ML2) technology is presented in this article, including process integration capability, application fields and perspective for high throughput ML2 solution. To cite this article: L. Pain et al., C. R. Physique 7 (2006).
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Résumé |
La lithographie par faisceau dʼélectrons est une solution technologique bien connue, mature et très utilisée dans les laboratoires de recherche et universités qui permet de réaliser des structures avancées pour des programmes de recherche et développement, couvrant un large champ dʼapplications. Cependant, du fait de sa lenteur dʼécriture, la lithographie à écriture directe nʼest jamais apparue comme une solution crédible pour la production. Néanmoins, lʼaccroissement des coûts de la lithographie optique liés à lʼutilisation de masques et de systèmes dʼexposition de plus en plus complexes, commence à toucher le marché des semi-conducteurs. Cette tendance ouvre des perspectives pour des machines de lithographie sans masque à fort débit pour la production de circuits spécifiques (ASIC). Une revue de la lithographie sans masque (ML2) est présentée dans cette publication, incluant la capacité dʼintégration de cette solution, ses domaines dʼapplication ainsi que les perspectives concernant des solutions ML2 à fort débit. Pour citer cet article : L. Pain et al., C. R. Physique 7 (2006).
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Keywords : Lithography, E-beam, Direct write, Prototyping
Mots-clés : Lithographie, Faisceau dʼelectron, Écriture directe, Prototypage
Plan
Vol 7 - N° 8
P. 910-923 - octobre 2006 Retour au numéroBienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
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