Measuring three-dimensional positions of atoms to the highest accuracy with electrons - 14/03/14
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Abstract |
Recent developments in transmission electron microscopy (TEM) have pushed lateral spatial resolution to well below 1 Å. For selected perfect crystal structures, this allows atomic columns to be identified along several crystallographic orientations. Measuring the three-dimensional position of every atom within a TEM specimen, called by some the holy grail of electron microscopy, seems therefore within reach. In this paper, we will discuss recent approaches to this problem and present our own dose-efficient approach that is based on the direct inversion of multiple electron scattering within the sample and that can be applied to various coherent detection schemes, such as high-resolution TEM, confocal scanning TEM, or ptychography. One particular advantage of this approach is that data for only a very limited range of specimen tilt angles is required, and that it can handle the highly dynamical scattering associated with lower electron beam energy.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Résumé |
Les progrès récents de la microscopie électronique à transmission (TEM) ont poussé la limite de résolution spatiale dans le plan de l'échantillon bien au-delà de 1 Å. Pour des structures cristallines parfaites, ceci permet de visualiser las colonnes atomiques selon plusieurs directions cristallographiques. Mesurer la position tridimensionnelle de chaque atome au sein d'un échantillon TEM, ce qui a parfois été considéré comme le saint Graal de la microscopie électronique, semble désormais accessible. Dans cette contribution, nous introduisons les approches récentes visant à atteindre cet objectif et présentons la nôtre, qui est particulièrement efficace en termes de dose requise. Elle repose sur une inversion directe des mécanismes de diffusion multiple au sein de l'échantillon et peut être adaptée à différents types de détection : TEM haute résolution, STEM confocal et ptychographie. Un de ses avantages spécifiques est de ne requérir qu'un nombre limité de projections. Un autre est de s'adapter très bien aux processus de diffusion multiple subis par des faisceaux incidents de plus faible énergie.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Keywords : Inverse dynamical electron scattering, Compressed sensing, Atomic resolution tomography, Low-voltage electrons
Mots-clés : Inversion directe de diffusion multiple des électrons, Acquisition comprimée, Détermination des structures atomiques en trois dimensions
Plan
Vol 15 - N° 2-3
P. 119-125 - février 2014 Retour au numéro
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