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Combining ECCI and FIB milling techniques to prepare site-specific TEM samples for crystal defect analysis of deformed minerals at high pressure - 09/05/19

Doi : 10.1016/j.crte.2018.09.011 
Nobuyoshi Miyajima , Tommaso Mandolini, Florian Heidelbach, Caroline Bollinger
 Bayerisches Geoinstitut, University of Bayreuth, 95440 Bayreuth, Germany 

Corresponding author.

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Abstract

Dislocation microstructures in experimentally deformed single-crystal pyrope-rich garnet, (Mg,Fe)3(Al,Cr)3Si3O12, and polycrystalline forsterite, Mg2SiO4, were investigated by using electron channeling contrast imaging (ECCI) and transmission electron microscopy (TEM) combined with a focused ion beam (FIB)-microsampling. In the orientation-optimized ECCI method, we successfully observed individual dislocations across subgrain boundaries in a low-atomic-number mineral, pyrope-rich garnet (averaged Z-numbers, AZs10). Dislocations in a deformed forsterite (iron-free olivine) were also visible in the ECCI. In the ECCI on the single-crystal garnet, deformation bands consisting of dislocations, unusual contrasts in stripes and inhomogeneous distributions of sub-micrometer-sized pores were found. Further site-specific TEM observation on the deformation band revealed a high density of partial dislocations and stacking fault ribbons. The site-specific characterizations from ECCI to TEM, with assistance of FIB, can provide a new approach to investigate dislocation microstructures of deformed materials at high pressure and high temperature.

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Keywords : Electron channeling contrast imaging (ECCI), Transmission electron microscopy (TEM), Focused ion beam (FIB)-microsampling, Dislocation, Garnet, Forsterite


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Vol 351 - N° 2-3

P. 295-301 - février 2019 Retour au numéro
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  • Simultaneous measurements of the two-dimensional distribution of infrared laser intensity and temperature in a single-sided laser-heated diamond anvil cell
  • Kamil M. Bulatov, Pavel V. Zinin, Yulia V. Mantrova, Aleksey A. Bykov, Maksim I. Gaponov, Alexsandr S. Machikhin, Ivan A. Troyan, Igor B. Kutuza

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