The coupling of standard self-organization methods with surface artificial nanostructuring has recently emerged as a promising technique in semiconductor materials to control simultaneously the size distribution, the density and the position of epitaxial nanostructures. Some physical aspects of the morphology and elastic strain engineering are reviewed in this article. The emphasis is on the effects of capillarity, growth rate anisotropy, strain relaxation and entropy of mixing for alloys. The interplay among these driving forces is first illustrated by III-V compound semiconductor growth on lithographically patterned surfaces, then by germanium growth on implanted substrates and nanopatterned templates obtained by chemical etching of buried strain dislocation networks. To cite this article: J. Eymery et al., C. R. Physique 6 (2005).

Le couplage de méthodes classiques dʼauto-organisation avec des nanostructurations artificielles de surfaces sʼest récemment avéré être une excellente technique dans les matériaux semi-conducteurs pour contrôler simultanément la taille, la densité et la position de nanostructures épitaxiées. Certains aspects physiques concernant lʼingénierie de la morphologie et de la contrainte élastique sont passés en revue dans cet article. Lʼaccent est mis sur les effets de capillarité, dʼanisotropie de la vitesse de croissance, de relaxation de contrainte et dʼentropie de mélange pour les alliages. Lʼinteraction entre ces différentes forces motrices est illustrée en premier par la croissance de composés de semi-conducteurs III-V sur des surfaces obtenues par lithographie, puis par la croissance de germanium sur des substrats implantés et sur des surfaces nanostructurées obtenues par attaque chimique de réseaux de dislocations enterrées. Pour citer cet article : J. Eymery et al., C. R. Physique 6 (2005).