Analyse du contraste d'un sous-joint de torsion (0 0 1) dans le silicium en MET à deux ondes - 22/03/08
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Note présentée par Guy Laval
Résumé |
Une image d'un sous-joint de torsion (001) du silicium, obtenue en MET à deux ondes, est interprétée de façon quantitative au moyen de la théorie dynamique de la diffraction des électrons. Les caractéristiques du contraste sont discutées en fonction de l'épaisseur de la lame mince et des effets éventuels de relaxation élastique du sous-joint dans la lame mince. Pour citer cet article : R. Bonnet et al., C. R. Physique 3 (2002) 657-663.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Abstract |
A quantitative analysis of the image of a low angle (001) twist boundary in silicon is performed using the two-beam dynamical theory of electron diffraction. The contrast features are discussed as functions of the thickness of the foil and possible elastic relaxation effects of the low angle twist boundary in the thin foil. To cite this article: R. Bonnet et al., C. R. Physique 3 (2002) 657-663.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Mots-clé : contraste, sous-joint de torsion, dislocation, silicium
Keywords : contrast, low angle twist boundary, dislocation, silicon
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Vol 3 - N° 5
P. 657-663 - 2002 Retour au numéroBienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
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