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High-performance electronic cooling with superconducting tunnel junctions - 14/11/16

Doi : 10.1016/j.crhy.2016.08.010 
Hervé Courtois a, b, , Hung Q. Nguyen c, d, Clemens B. Winkelmann a, b, Jukka P. Pekola d
a Université Grenoble Alpes, Institut Néel, 38000 Grenoble, France 
b CNRS, Institut Néel, 38000 Grenoble, France 
c Nano and Energy Center, Hanoi University of Science, VNU, Hanoi, Viet Nam 
d Low Temperature Laboratory, Department of Applied Physics, Aalto University School of Science, 00076 Aalto, Finland 

Corresponding author.

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Abstract

When biased at a voltage just below a superconductor's energy gap, a tunnel junction between this superconductor and a normal metal cools the latter. While the study of such devices has long been focused to structures of submicron size and consequently cooling power in the picowatt range, we have led a thorough study of devices with a large cooling power up to the nanowatt range. Here we describe how their performance can be optimized by using a quasi-particle drain and tuning the cooling junctions' tunnel barrier.

El texto completo de este artículo está disponible en PDF.

Résumé

Polarisée à une tension juste inférieure à la bande interdite du supraconducteur, une jonction tunnel entre ce supraconducteur et un métal normal peut refroidir ce dernier. Alors que les études de ces dispositifs se sont longtemps concentrées sur des structures de taille submicronique, en conséquence avec des puissances de refroidissement de l'ordre du picowatt, nous avons mené une étude complète de jonctions NIS avec une forte puissance de refroidissement, de l'ordre du nanowatt. Dans cette revue, nous décrivons comment leurs performances peuvent être optimisées par l'ajout d'un drain pour les quasi-particles et l'ajustement de la barrière tunnel des jonctions réfrigérantes.

El texto completo de este artículo está disponible en PDF.

Keywords : Electronic cooling, Superconducting tunnel junctions, Thermo-electricity

Mots-clés : Jonctions tunnel, Refroidissement électronique, Thermoélectricité


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Vol 17 - N° 10

P. 1139-1145 - décembre 2016 Regresar al número
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