We developed an improved model in order to predict the RF behavior of the SOA valid for any experimental conditions. It takes into account the dynamic saturation of the SOA, which can be fully characterized by a simple measurement, and only relies on material fitting parameters, independent of the optical intensity and bias current. We used this new model to analyze and model the additive noise of the SOA in order to fully characterize the influence of the slow light effect on the microwave photonics link properties. To cite this article: P. Berger et al., C. R. Physique 10 (2009).

Nous présentons un modèle amélioré prédisant la réponse RF de l’amplificateur optique à semi-conducteurs (SOA). Ce modèle reste valide quelles que soient les conditions expérimentales : en effet, il prend en compte la saturation dynamique du SOA, caractérisée par une expérience très simple, et ne repose que sur peu de paramètres d’ajustement, qui dépendent du matériau et non du courant d’injection ou de la puissance optique d’entrée. On utilise ce nouveau modèle pour caractériser le bruit additif du SOA, afin d’analyser les effets du ralentissement de la lumière sur les propriétés de la liaison opto-hyperfréquence. Pour citer cet article : P. Berger et al., C. R. Physique 10 (2009).