Electrochemical pore formation onto semiconductor surfaces - 17/09/08
, Thierry Djenizian b
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| pages | 20 |
| Iconographies | 13 |
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Abstract |
In this paper, a review on electrochemical porous etching of semiconductors is proposed. After a brief history, chemical and electrochemical etching of semiconductors are considered and the pore formation models are discussed. The influences of the key parameters on porous etching are illustrated by listing the numerous pore morphologies reported in the literature. A short inventory of typical applications in various fields is given in the conclusion.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Résumé |
Après un bref historique, nous exposons les différents phénomènes de dissolutions chimiques et électrochimiques des semiconducteurs et nous discutons les multiples modèles de formation des poreux. Les effets des paramètres clés sur la dissolution poreuse sont illustrés en passant en revue les nombreuses morphologies obtenues dans la littérature. Une série d'applications caractéristiques dans divers domaines est proposée en conclusion.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Keywords : Semiconductors, Electrochemistry, Pore, Anodic etching
Mots-clés : Semiconducteurs, Electrochimie, Pore, Dissolution Anodique
Plan
Vol 11 - N° 9
P. 964-983 - septembre 2008 Retour au numéro
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