Chemical switches and logic gates based on surface modified semiconductors - 14/02/08
, Wojciech Macyk Bienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
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Abstract |
Photoelectrochemical properties of multicomponent photoelectrodes based on titanium dioxide and cadmium sulfide powders modified with hexacyanoferrate complexes have been examined. Photocurrent responses were recorded as functions of applied potential and photon energy. Surprisingly, the photocurrent can be switched between positive and negative values as a result of potential or photon energy changes. This new effect called PhotoElectrochemical Photocurrent Switching (PEPS) opens a possibility of new chemical switches and logic gates construction. Boolean logic analysis and a tentative mechanism of the device are discussed. To cite this article: K. Szaciłowski, W. Macyk, C. R. Chimie 9 (2006).
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Résumé |
Les propriétés photoélectrochimiques des photoélectrodes à composants multiples à base de poudres d'oxyde de titane et de sulfure de cadmium, modifiées avec des complexes hexacyanoferrate, ont été examinées. Les réponses photovoltaïques ont été observées en fonction du potentiel ou de l'énergie photonique appliquée. De manière surprenante, la réponse photovoltaïque peut passer d'une valeur positive à une valeur négative par suite de modifications du potentiel ou de l'énergie photonique. Ce nouvel effet, appelé PhotoElectrochemical Photocurrent Switching (PEPS), ouvre la voie à de nouveaux interrupteurs chimiques ainsi qu'à la construction de portes logiques. On fait appel à l'analyse logique de Boole et on propose un mécanisme possible. Pour citer cet article : K. Szaciłowski, W. Macyk, C. R. Chimie 9 (2006).
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Keywords : Chemical logic gates, Photoelectric properties, Prussian blue, Semiconducting materials, Titanium dioxide, Cadmium sulfide
Mots-clés : Portes logiques chimiques, Propriétés photoéléctriques, Bleu de Prusse, Matériaux semiconducteurs, Oxyde de titane, Sulfure de cadmium
Plan
Vol 9 - N° 2
P. 315-324 - février 2006 Retour au numéro
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