Abbonarsi

Twinning occurrence and grain competition in multi-crystalline silicon during solidification - 07/03/13

Doi : 10.1016/j.crhy.2012.12.001 
Amina Tandjaoui a, b, , Nathalie Mangelinck-Noel a, b, Guillaume Reinhart a, b, Bernard Billia a, b, Xavier Guichard c
a Aix-Marseille Université, campus Saint-Jérôme, case 142, 13397 Marseille cedex 20, France 
b CNRS, IM2NP, UMR CNRS 7334, campus Saint-Jérôme, case 142, 13397 Marseille cedex 20, France 
c ESRF, polygone scientifique Louis-Néel, BP220, 38043 Grenoble cedex, France 

Corresponding author at: Aix-Marseille Université, campus Saint-Jérôme, case 142, 13397 Marseille cedex 20, France.

Benvenuto su EM|consulte, il riferimento dei professionisti della salute.
L'accesso al testo integrale di questo articolo richiede un abbonamento.

pagine 8
Iconografia 0
Video 0
Altro 0

Abstract

Multi-crystalline silicon solidification is investigated by performing directional solidification experiments. Twinning phenomenon has been identified and observed in situ and in real time during the solidification using X-ray synchrotron imaging techniques: radiography and topography. The radiography observations give information on the formation, birth localized at the interface and evolution of the twins during solidification. The topography results give further information on the grain arrangement and on new grains in twinned position and grain growth competition. We have evidenced two twinning mechanisms: the first is the multiple twin formations during the growth of one grain. The second is the nucleation of a grain in twinned position at the bottom of a grain boundary groove.

Il testo completo di questo articolo è disponibile in PDF.

Résumé

La solidification du silicium multi-cristallin a été étudiée en menant à bien des expériences de solidification dirigée. Le phénomène de maclage a été identifié et observé in situ et en temps réel pendant la solidification, en utilisant des techniques dʼimagerie X synchrotron : radiographie et topographie. Les observations par radiographie donnent des informations concernant la formation, la localisation à lʼinterface et lʼévolution des macles au cours de la solidification. Les résultats de topographie donnent des informations complémentaires sur lʼarrangement des grains et sur la compétition de croissance des macles et des grains. Nous avons montré lʼexistence de deux mécanismes de maclage : la formation de macles multiples pendant la croissance dʼun grain et la germination dʼune macle unique dans le sillon dʼun joint de grains.

Il testo completo di questo articolo è disponibile in PDF.

Keywords : Silicon, Solidification, X-ray radiography, Synchrotron, Twins, Grain competition

Mots-clés : Silicium, Solidification, Radiographie X, Synchrotron, Macles, Compétition de grains


Mappa

Piano inalienabile

© 2012  Académie des sciences. Pubblicato da Elsevier Masson SAS. Tutti i diritti riservati.
Aggiungere alla mia biblioteca Togliere dalla mia biblioteca Stampare
Esportazione

    Citazioni Export

  • File

  • Contenuto

Vol 14 - N° 2-3

P. 141-148 - febbraio 2013 Ritorno al numero
Articolo precedente Articolo precedente
  • Growth and characterizations of lead-free ferroelectric KNN-based crystals
  • Mythili Prakasam, Philippe Veber, Oudomsack Viraphong, Laetitia Etienne, Michel Lahaye, Stanislav Pechev, Eric Lebraud, Kiyoshi Shimamura, Mario Maglione
| Articolo seguente Articolo seguente
  • The trajectory of subboundary grooves during directional solidification of dilute alloys
  • Gabriel Faivre, Sabine Bottin-Rousseau, Silvère Akamatsu

Benvenuto su EM|consulte, il riferimento dei professionisti della salute.
L'accesso al testo integrale di questo articolo richiede un abbonamento.

Già abbonato a @@106933@@ rivista ?

@@150455@@ Voir plus

Il mio account


Dichiarazione CNIL

EM-CONSULTE.COM è registrato presso la CNIL, dichiarazione n. 1286925.

Ai sensi della legge n. 78-17 del 6 gennaio 1978 sull'informatica, sui file e sulle libertà, Lei puo' esercitare i diritti di opposizione (art.26 della legge), di accesso (art.34 a 38 Legge), e di rettifica (art.36 della legge) per i dati che La riguardano. Lei puo' cosi chiedere che siano rettificati, compeltati, chiariti, aggiornati o cancellati i suoi dati personali inesati, incompleti, equivoci, obsoleti o la cui raccolta o di uso o di conservazione sono vietati.
Le informazioni relative ai visitatori del nostro sito, compresa la loro identità, sono confidenziali.
Il responsabile del sito si impegna sull'onore a rispettare le condizioni legali di confidenzialità applicabili in Francia e a non divulgare tali informazioni a terzi.


Tutto il contenuto di questo sito: Copyright © 2026 Elsevier, i suoi licenziatari e contributori. Tutti i diritti sono riservati. Inclusi diritti per estrazione di testo e di dati, addestramento dell’intelligenza artificiale, e tecnologie simili. Per tutto il contenuto ‘open access’ sono applicati i termini della licenza Creative Commons.