L'insulino-résistance (IR) est un élément clé de la pathogénie du diabète de type 2. Les résultats d'expérimentations récentes sur la vasodilatation médiée par l'insuline ont suggéré que l'insensibilité vasculaire est un composant de l'IR. Cependant, la notion d'une réduction de la capacité de l'insuline à augmenter la libération endothéliale de monoxyde d'azote (NO) chez le diabétique de type 2 est controversée.

Les concentrations plasmatiques de NO ont été determinées chez 26 diabétiques de type 2 et 78 volontaires non diabétiques lors d'un test de suppression insulinique. Le test mesure l'efficacité de l'insuline à promouvoir l'utilisation d'une charge en glucose perfusée, la glycémie en état stable (steady state plasma glucose SSPG) au cours des 150-180 min du test étant choisie comme index d'IR. Les concentrations plasmatiques de NO ont été déterminées par mesure des produits finaux stables de son métabolisme. La comparaison des concentrations plasmatiques de NO entre les groupes a été effectuée par test de Mann-Whitney test et les relations entre SSPG et les différentes variables analysées par corrélations partielles.

Nos résultats montrent que les concentrations plasmatiques de NO sont significativement plus élevées chez les diabétiques. Lorsque les non diabétiques ont été analysés selon leur niveau de SSPG, il n'y avait pas de différence pour le NO entre ceux avec SSPG > 160 mg/dl et ceux avec SSPG ≪ 160 mg/dl. Il n'y avait pas non plus de différence pour le NO entre ceux avec antécédents familiaux de diabète de type 2 et les autres. Dans le groupe non diabétique, SSPG est corrélé avec le BMI, l'insulinémie à jeun, les triglycérides et le HDL-cholestérol, mais non avec les concentrations plasmatiques de NO ni avec la glycémie à jeun.

Nos résultats suggèrent que l'altération de l'activité NO chez les diabétiques de type 2 est due à une altération de l'effet plutôt que de sa production. Cette altération de la signalisation NO n'est pas un événement précoce chez le sujet insulino-résistant. De tels changements ne sont pas apparents avant la révélation d'un authentique diabète de type 2 avec hyperglycémie.

Insulin resistance (IR) is a key element in the pathogenesis of type 2 diabetes. The results of recent experiments on insulin-mediated vasodilatation have suggested that vascular insensitivity is a component of IR. However, it is still controversial that patients with type 2 diabetes have a decreased ability of insulin to increase endothelial nitric oxide (NO) release.

Plasma concentration of NO was examined in 26 patients with type 2 diabetes and 78 nondiabetic volunteers during an insulin suppression test. The test measured the efficacy of insulin in promoting disposal of the infused glucose load, in which the steady state plasma glucose (SSPG) during the 150-180 min of the test was used as an index of IR. Plasma NO levels were assayed by measurement of the stable end products of their metabolism. Comparison of plasma NO levels between groups were performed by Mann-Whitney test and relationships between SSPG and different variables were analyzed by partial correlations.

Our results showed that the plasma NO levels were significantly higher in the diabetic group. When the nondiabetic subjects were analyzed according to their SSPG levels, there was no difference of plasma NO levels between those with SSPG > 160 mg/dl and those with SSPG ≪ 160 mg/dl. There were also no difference of NO levels between those with a family history of type 2 diabetes and those without. In the nondiabetic group, SSPG correlated with BMI, fasting insulin, triglyceride and HDL-cholesterol, but neither with plasma NO levels nor fasting plasma glucose.

Our data suggests that the impairment of NO activity in patients with type 2 diabetes is due to an impaired effect rather than its production. This altered NO signaling pathway is not an early event in insulin resistant individuals. Any such changes will not be apparent until type 2 diabetes with overt hyperglycemia develops.